LiNbO₃ не се наоѓа во природата како природен минерал. Кристалната структура на кристалите на литиум ниобат (LN) првпат беше пријавена од Захаријасен во 1928 година. Во 1955 година Лапицки и Симанов дадоа решетки параметри на хексагонални и тригонални системи на LN кристал со анализа на дифракција на прав со рендгенски зраци. Во 1958 година, Рајсман и Холцберг го дадоа псевдоелементот Ли₂O-Nb₂O₅ со термичка анализа, анализа на дифракција на Х-зраци и мерење на густина.

Фазниот дијаграм покажува дека Ли₃NbO₄, LiNbO₃, LiNb₃O₈ и Ли₂Nb₂₈O₇₁ сите може да се формира од Ли₂O-Nb₂O₅. Поради подготовката на кристалите и својствата на материјалот, само LiNbO₃ е широко проучуван и применуван. Според општото правило за хемиско именување, ЛитиумNиобат треба да биде Li₃NbO₄и LiNbO₃ треба да се нарече Литиум Мetaниобат. Во раната фаза, LiNbO₃ навистина беше наречен Литиум Mетаниобат кристал, но бидејќи на LN кристали со други три цврсти фазиs не се широко проучувани, сега LiNbO₃ е речиси веќе не се нарекува Lитиум Mетниобат, но нашироко е познат како Lитиум Nјобат.

Висококвалитетен кристал LiNbO3 (LN) развиен од WISOPTIC.com

Точката на истотопување на течните и цврстите компоненти на кристалот LN не е во согласност со неговиот стехиометриски сооднос. Висококвалитетните единечни кристали со исти компоненти на главата и опашката може лесно да се одгледуваат со методот на топена кристализација само кога се користат материјали со ист состав од цврста фаза и течна фаза. Затоа, кристалите LN со добро својство на совпаѓање на евтектичка точка на цврсто-течно ниво се широко користени. Кристалите на LN обично ненаведени се однесуваат на оние со ист состав, а содржината на литиум ([Li]/[Li+Nb]) е околу 48,6%. Отсуството на голем број литиумски јони во кристалот LN доведува до голем број на дефекти на решетката, кои имаат два важни ефекти: Прво, тоа влијае на својствата на кристалот LN; Второ, дефектите на решетката обезбедуваат важна основа за допинг инженерството на LN кристалот, кој може ефикасно да ги регулира перформансите на кристалите преку регулирање на кристалните компоненти, допинг и валентна контрола на допираните елементи, што е исто така една од важните причини за вниманието на LN кристал.

Различно од обичниот LN кристал, постои “блиску стехиометриски LN кристали“ чиј [Li]/[Nb] е околу 1. Многу од фотоелектричните својства на овие блиски стехиометриски LN кристали се поистакнати од оние на обичните LN кристали и тие се почувствителни на многу фотоелектрични својства поради речиси стехиометриски допинг, така што тие се опширно проучувани. Меѓутоа, бидејќи речиси стехиометрискиот кристал LN не е еутектички со цврсти и течни компоненти, тешко е да се подготви висококвалитетен единечен кристал од конвенционалниот Чохралски метод. Затоа, треба да се направат уште многу работи за да се подготви висококвалитетен и исплатлив, речиси стехиометриски LN кристал за практична употреба.